大脑或存在两种短时记忆系统设计

据一篇刊出于《PNAS》新闻周刊的研究者报告，伦敦大学的研究者部门称作，之前关于人类所小脑通过不同前提形成长时间记忆和短期记忆的理论或许不正确。之前神经细胞生物学家对失忆症病征展开研究者，由于失忆症是由于小脑小脑所在位置当中枢神经细胞系统损伤引发，这类病征长时记忆能够丧失，但在不受干扰的情形，仍可以在但会内记得电话号码，因此，研究者部门一直视为当中枢神经细胞系统只反对长时记忆而不反对短时记忆。课题组对“当中枢神经细胞系统铰穿孔小脑癫痫('temporal lobe epilepsy with bilateral hippocampal sclerosis)”病征展开研究者，该疾病是癫痫病当中的一种，能造成了病征小脑当中枢神经细胞系统特性受到损害。研究者部门允许这些病征回忆一些描绘大多桥段的页面，如窗户当中的三楼陈设等，研究者部门借助脑磁描表示法(magnetoencephalography，MEG)记录病征在回忆页面时小脑的活动。研究者部门挖掘出，病征在60分钟后就很难记得页面的内容，而在回忆页面的确实时，连5秒钟间隔都记不住。通过MEG深入研究，研究者部门视为这或许是因为短时记忆时必需小脑当中多个区域密切合作运作，而当当中枢神经细胞系统受损后，才会影响到这种密切合作性。研究者部门揣测，在小脑内或许存在两种短期记忆系统，一种记忆特性的发挥与当中枢神经细胞系统相关联，当长时间记忆受损时也能正常工作，另外一种则与当中枢神经细胞系统有关，当中枢神经细胞系统损伤将造成了长时记忆和短时记忆能够同时丧失。

编辑： 唐方